研究方向

半导体射频（RF）器件及射频（RF）集成电路；

半导体高速光电器件及光电集成电路；

个人简介

谢红云，副教授，硕士生导师。承担多项国家自然科学基金、北京市自然科学基金等科研项目，曾受国家留学基金委资助赴美国奥本大学访问学习。发表学术论文40余篇，其中SCI论文13篇，多次参加国际学术会议做邀请或口头报告，获国家发明专利12项。

教育简历

(1) 2003-04 至 2006-06, 中国科学院半导体研究所, 微电子学与固体电子学, 博士

(2) 2000-09 至 2003-03, 河北工业大学, 微电子学与固体电子学, 硕士

(3) 1996-09 至 2000-06, 河北工业大学, 电子信息工程, 学士

工作履历

(1) 2013-07 至 今, beat365体育官网平台, beat365体育官网平台, 副教授

(2) 2012-06 至 2013-06, Auburn University（美国）, 电子工程系, 无

(3) 2009-12 至 2012-05, beat365体育官网平台, 电子信息与控制工程学院, 副教授

(4) 2006-07 至 2009-12, beat365体育官网平台, 电子信息与控制工程学院, 讲师

学术兼职

IEEE Microwave and Wireless Components Letters，International Journal of Electronics and Communications，Chinese Physics B，浙江大学学报，南京大学学报，湖南大学学报，光子学报等国际学术期刊和国际学术会议审稿人；

国家自然科学基金项目等科研项目评审人；

课程教学

本科生教学：微电子工艺

研究生教学：射频集成电路及设计，微电子工艺集成与制造

科研项目

北京市自然科学基金, 面上项目，垂直入射平面波实现横向传输的硅基光子晶体光敏晶体管探测器研究, 2023.01-2025.12

北京市自然科学基金, 面上项目，硅基SOI集成单载流子传输光敏晶体管探测器研究, 2019.01-2021.12

山东省自然科学基金, 面上项目，独立优化效率与速度的低成本SOI基波导型异质结光敏晶体管探测器的研究, 2022.01-2024.12

国家自然科学基金, 面上项目，多个优秀性能参数指标集于一身的硅基在片射频有源电感的合成方法及用于提升射频压控振荡器性能的研究, 2018.01-2021.12

荣誉和获奖

多次获beat365体育官网平台优秀硕士学位论文指导教师；

获北京市普通高校优秀本科毕设论文指导教师；

获beat365体育官网平台优秀教育教学成果一等奖；

代表性研究成果

高效SiGe/Si光敏晶体管探测器；

InP 基单载流子传输光敏晶体管探测器；

0.9GHz和2.4GHz双频段可变增益放大器；

主要论文论著

[1] Xie Hongyun; Xiang Yang; Sha Yin; Ji Ruilang; Zhu Fu; Shen Xiaoting; Han Dong; Yang Xiaoxiong; Zhang Wanrong ; A SiGe/Si Phototransistor With High FOM of Gain*VA Using 0.35-μm BiCMOS Technology, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 69(10): 5612-5617 (期刊论文)

[2] Yin Sha; Hongyun Xie; Yang Xiang; Ruilang Ji; Fu Zhu; Xiaoting Shen; Weicong Na; Dongyue Jin; Wanrong Zhang ; High-Efficiency SiGe/Si Heterojunction Phototransistor With Photon- Trapping Nanoholes Operating at 600–1000-nm Wavelength, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(5): 2514-2520 (期刊论文)

[3] Sha Yin; Chen Lin; Hongyun Xie; Xiaoyan Yi; Teng Zhan; Xian-Cheng Liu; Xiang Yang; Wanrong Zhang ; Implantable wirelessly powered optoelectronic device for optogenetics, Optical Engineering, 2021, 60(02): 027101-1-027101-10 (期刊论文)

[4] Xian-Cheng Liu; Jia-Jun Ma; Hong-Yun Xie; Pei Ma; Liang Chen; Min Guo; Wan-Rong Zhang;Effects of Buride oxide layer on working speed of SiGe heterojunction photo-transistor, 2020,29(2):, Chin. Phys. B, 2020, 29(2): 028501-1-028501-5 (期刊论文)

[5] Jiang Zhiyun; Xie Hong-Yun; Zhang Liang-Hao; Zhang Wan-Rong; Hu Ruixin; Huo Wenjuan；Analysis on high speed response of a uni-traveling-carrier double hetero-junction phototransistor, Chin. Phys. B, 2015, 24(4): 048504-1-048504-2